当社は、世界中のスマートフォン通信、データセンター、生成AI,衛星通信などの「通信インフラ」を支える半導体部品メーカーです。住友電工グループの100％子会社として、研究開発から製造、販売まで一貫して行っており、山梨県を主力拠点に、横浜、ベトナムにも製造拠点を展開しています(社員数 約1,600名)。

当社が製造している半導体部品は、大きく2種類あります。ひとつは「電波を扱う半導体」で、5G基地局など無線通信の心臓部に使われています。もうひとつが本ポジションで取り扱う「光でデータを伝送する半導体(光通信用デバイス)」で、光ファイバー通信を支える部品です。

近年、生成AI(ChatGPT等)の学習が膨大になるにつれて、データセンター内およびデータセンター間でやり取りされる情報量が爆発的に増え、その高速通信を支える光ファイバー通信用の半導体レーザーの需要が急増しています。そのため、23年度比で製造能力を12倍に拡大する大規模な事業成長フェーズにあります。

企業概要・事業内容  

５G基地局向けGaN HEMTや通信用光デバイスでグローバルシェアを持つ化合物半導体デバイスの専業メーカーです。住友電工100％子会社として、エピウエハから最終モジュールまでの一貫生産体制を国内2拠点（横浜・山梨）に構え、電子デバイスと光デバイスの両軸を一社で担う世界唯一のデバイスメーカーとして知られています。

光デバイス事業では、データセンタ内の高速化（112G EML、高出力CW LD）、データセンタ間通信（~120km対応の波長可変レーザ）、5Gフロントホール（10G/25G EML、25G波長可変EML）、アクセス系（10G/25G/50G PON）の4領域をカバーし、「高速変調」と「高出力化・高効率化」および「波長可変」の３軸で技術展開を進めています。生成AIの急拡大に伴うデータセンタ光通信デバイス需要を追い風に、事業規模を拡大中です。

MOCVDによるエピ成長から前工程・後工程・モジュール組立まで社内完結できる技術基盤と、住友電工グループの伝送デバイス研究所との先行技術連携が競争優位の源泉です。

参考URL

会社HP：https://www.sedi.co.jp

事業紹介（住友電工id誌）：https://sei.co.jp/id/2020/06/project/id02.html

グループ企業紹介：https://sumitomoelectric.com/jp/company/office_group_companies/sumitomo-electric-device-innovations-inc

募集背景

生成AIの急伸とデータセンタ光通信需要の拡大を受け、次世代光デバイスの開発テーマが並行して進行しています。

光デバイスの特性はMOCVDによるエピタキシャル結晶成長が約9割を決定する最重要工程であり、プロセス開発部は光素子設計部と「車の両輪」として新製品・次世代製品のプロセス技術開発を担っています。

世代交代と事業拡大に対応するため、2025〜2027年度にかけて増員を計画しています。若手育成のサイクルも回り始めており、次の主軸となる層を迎え入れるタイミングです。

仕事内容

ポジション概要

化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVDを用いたエピタキシャル結晶成長を中心とするエンジニアを募集します。量子井戸構造や三次元構造の成長技術を開発し、光素子設計部と連携して新製品の開発・特性改善を牽引していただきます。

具体的な仕事内容

■主な業務

・MOCVD装置を用いたエピタキシャル結晶成長プロセスの開発・最適化
・量子井戸などの複雑な結晶構造の成長制御
・平坦成長 → 部分エッチング → 再成長という化合物半導体特有の三次元構造形成プロセス開発
・スパッタリング、エッチング等の電極形成プロセス技術
・光素子設計部との連携による、設計起点のプロセス課題解決

■技術的な特徴

・化合物半導体（InP、GaAs系）はシリコン半導体と異なり三次元構造を持つため、独自の成長技術が必要
・MOCVD装置による結晶成長が最終的なデバイス特性の約9割を決定する最重要工程

■現在の主要開発領域（光素子設計部と同じ製品群のプロセス立ち上げ）

・次世代EML（200G〜400Gb/s）
・高出力・低消費電力CWレーザ
・長距離対応波長可変レーザ

(変更の範囲: 会社の定める業務)

期待する役割・ミッション

エピ成長の巧拙がデバイス特性の大半を決めるこの事業において、与えられた材料系のなかで最適解を導くプロセスエンジニアとしての活躍を期待します。光素子設計部と連携しながら、次世代デバイスのプロセスを立ち上げ、量産部門への移管まで牽引する中核メンバーとしての役割を担っていただきます。

キャリアパス

実力と適性に応じて、入社数年で重要プロジェクトの中心メンバーとして任される文化があります。数年目で若手の指導役を担うサイクルが回り始めており、育成役を通じて部のテクニカルリードへと成長するキャリアが描けます。

組織構成

プロセス開発部（人数：部長含め30名体制）
・第一開発課：16名（山梨４名、横浜12名）
・第二開発課：13名（山梨７名、横浜６名）

今後山梨が主力となる傾向がありますが、製造装置・ラボは両拠点にあり、拠点間出張によるフレキシブルな運用が可能です。

年齢構成は光素子設計部と同様、30〜40歳以下と50歳以上が中心で、中間層（40〜50歳）が薄い状況。若手育成のサイクルが回り始めています。

本ポジションの魅力

■技術面
・MOCVDによるエピ成長が特性の9割を決めるという、プロセスが主役の事業領域
・シリコン半導体とは全く異なる三次元構造成長という独自技術の最前線
・AIブームを支える光通信インフラを技術の根幹から支える役割

■環境・ポジション面
・実力があると判断した人材には早期に任せる文化、面倒見の良い育成環境
・光素子設計部と「車の両輪」として、設計から製造まで一気通貫で関われる
・「わいがや」のコミュニケーション文化で、行き詰まった時に相談しながら進められる

■キャリア面
・住友電工グループの安定基盤と、急拡大市場のスピード感を両立
・化合物半導体の特殊プロセス技術の専門家として、希少性の高いキャリアを形成

応募資格

必須条件（MUST)

下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方

・光半導体デバイスの結晶成長またはプロセス開発経験：半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器など
・化合物半導体の結晶成長またはウェハプロセス開発経験：InP、GaAs、GaN、SiC等の結晶成長（MOCVD／MBE／HVPE等）またはウェハプロセス開発経験。用途不問（パワー半導体、RFデバイス、化合物太陽電池など）
・研究経験：光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する研究経験（修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む）

歓迎条件（WANT)

下記いずれか満たす方は特に歓迎します
・MOCVD装置の操作・プロセスレシピ開発経験
・量子井戸構造の成長制御経験
・再成長・埋め込み成長など三次元構造形成経験
・LED開発経験
・光電変換材料など化合物半導体関連材料の開発経験（材料メーカー出身）
・シリコンフォトニクス開発経験

求める人物像

・普通に解けない問題に粘り強く取り組める方（簡単に諦めない姿勢）
・一方で、筋の悪いアプローチは早期に見切れるバランス感覚をお持ちの方
・多様な要素技術・部門と協働するため、横連携・コミュニケーションを楽しめる方
・「わいがや」で相談しながら仕事を進めることを心地よく感じる方