小さな光半導体デバイスで大きな社会貢献を。
光通信で使用される光半導体レーザ及びフォトダイオードの中核的設計開発＆生産拠点です。
主力製品はデータセンタやワイヤレスネットワーク用光送受信トランシーバに使用される直接変調方式レーザ DML: Directly Modulation Laser及び外部変調方式 レーザ EML: Electro-absorption Modulator integrated with DFB Laserです。市場のニーズに合わせ、CWDM、L-WDM等各種波長帯を取り揃えています。
概要
日本ルメンタムは、AIサーバ／次世代通信（800G～1.6T）などで用いられる**光半導体レーザ（DML／EML）およびフォトダイオード（PD）**の中核メーカーです。
電子I/Oの物理限界を超える「光I/O」への転換が加速する今、InP（リン化インジウム）系結晶成長技術は、光デバイス性能の源泉であり、業界全体の競争力を左右する最重要領域です。
本ポジションでは、光素子の高性能化・高歩留まり化を実現するためのMOCVDプロセス開発・改善・装置最適化を推進していただきます。
単なる装置オペレーションではなく、“光の伝送性能”を決めるナノスケールの結晶設計者として、次世代通信を支えるデバイス創出に直接貢献できるポジションです。
仕事内容
InP系光半導体デバイス製造における結晶成長（Epitaxy）プロセスの開発・改善・生産技術業務全般を担当します。
MOCVD装置を中心とした結晶成長条件の最適化、歩留まり向上、装置能力向上など、開発と量産の両軸でプロセスをリードしていただきます。
主な業務内容：
・MOCVDによるInP系化合物半導体エピ層の成膜・評価・改善業務
・結晶品質評価（XRD、PL、AFM、SEM、TEM等）に基づく工程最適化
・成膜条件（温度・圧力・V/III比・キャリアガス流量等）の制御と再現性確保
・歩留まり改善／成長不具合解析（層厚ムラ・組成偏差・欠陥発生メカニズム解明）
・結晶成長工程における新装置導入・能力改善プロジェクトの推進
・光デバイス設計／プロセス統括部門との連携による新製品向けエピ構造設計支援
ミッション＆キャリア
【結晶成長（Epitaxy）は、**光デバイス性能を決定づける「第一工程」**です。
波長精度、直線性、温度特性、信号ノイズ──これらすべての起点は、エピ層の結晶品質にあります。
AI・HPCの高負荷通信を支えるには、極限まで制御されたInP結晶が不可欠。
あなたの技術が、世界中のデータセンタを動かす「光の源」になります。
日本ルメンタムでは、開発×量産×設備改善が一体化された短距離意思決定構造のもと、
設計者と直接議論しながら結晶品質を磨き上げるダイナミックな開発環境を提供します。
キャリアプラン）
入社後は、これまで培った結晶成長スキルをもとに、当社の**InP系光デバイス製造ラインの要素技術領域（MOCVD／プロセス開発／結晶品質評価）**のいずれかを主担当としていただきます。
現場のオペレーションではなく、**生産性・結晶品質・構造設計を同時に最適化する“技術中核層”**としての役割を期待しています。
将来的には、以下のようなキャリア展開が可能です：
・プロセス開発リーダー： 新規エピ構造開発・装置最適化・結晶欠陥改善のリード
・生産技術リーダー： 結晶成長量産ラインの安定化・歩留まり改善・稼働率最大化を推進
・光デバイス開発統合エンジニア： 設計・結晶・評価の三位一体による製品性能向上を牽引
・装置導入・プロセス戦略リーダー： 新規MOCVD装置導入や量産プロセス立上げを統括
・将来的には、日本および海外拠点での技術マネジメント／グローバル開発リーダーへの
ステップアップも可能
このポジションで磨かれるInP結晶成長×光デバイス最適化スキルは、
今後3〜5年で急速に需要が高まる「光I/O／フォトニクス集積」領域で極めて希少価値の高い技術アセットとなります。
求める人物像
・「原子層1層の違いが性能を変える」ことに興奮できる方
・現場の装置データと理論モデルを結びつけ、最適化を楽しめる方
・設計者・装置メーカー・製造チームと対等に議論できる技術対話力を持つ方
・現状維持ではなく、“より良く作る”ための改善提案を自ら発信できる方
・AI・通信・フォトニクスの未来を支える半導体技術を極めたい方
必須の経験・スキル
・化合物半導体（InP系、GaAs系等）を用いた結晶成長（Epitaxy）または関連工程経験
・結晶評価手法（XRD／PL／SEM／AFMなど）の実務理解
・工程改善・歩留まり改善・異常解析などの生産技術経験（2年以上／修士卒1年以上）
・設備メーカー／装置技術者との技術折衝スキル
・英語での資料作成・メールコミュニケーション対応力（PPT／会議含む）
歓迎する経験
・MOCVD経験者（MOVPE装置立ち上げ、レシピ設計、保守・校正対応経験）
・MBE（分子線エピタキシ）プロセス経験
・結晶シミュレーションや温度・ガス流動解析等のモデリングスキル
・PythonやMATLAB等によるデータ解析・制御最適化スクリプト開発スキル
・プロセス改善・装置導入などのリーダー経験
| 職種 / 募集ポジション | エピタキシャル プロセスエンジニア |
|---|---|
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 |
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| 勤務地 | |
| 勤務時間 | 9:00-17:30（45分休憩） |
| 休日 | 完全週休2日、年間休日125日 |
| 福利厚生 | 財形貯蓄、カフェテリアプラン等 |
| 加入保険 | 社会保険完備 |
| 受動喫煙対策 | 屋内喫煙室あり |
| 定年 | 60歳定年、年収変更なし、昇給昇格対象、1年更新 |
| 会社名 | 日本ルメンタム株式会社 |
|---|---|
| 事業内容 | 通信用光半導体素子の研究開発・設計・製造・販売 |
| 設立 | 2000年9月 |
| 資本金 | 2億円 |
| 事業所 | 252-5250 神奈川県相模原市中央区小山4-1-55 |
| 従業員数 | 正社員２40名 派遣・請負５００名前後 |
| 代表者 | 岩藤 泰典 （いわふじ やすのり） |
| 米国親会社Lumentumについて | Lumentum は、画期的なフォトニクスイノベーションを実現し、テクノロジーの飛躍的な進歩を可能にすることで、世界がつながり、創造し、交流する方法を変えていきます。 革新的なフォトニクス製品の幅広いポートフォリオによって、世界の通信ネットワーク全体における俊敏性、柔軟性、そしてスピードの向上を実現してきました。クラウドデータセンターで処理、蓄積されるデータ量は増加の一途をたどっていますが、Lumentum の製品が大きく貢献しています。ストリーミングビデオ、ゲーム機、マシンビジョンといった高帯域幅のアプリケーションに加え、新たな生成 AI ツールの出現に伴い、高帯域幅の需要は高まる一方です。 クラウド・データーセンター以外にも、キロワットクラスのファイバーレーザや超短パルス固体レーザをはじめとする高性能な産業用レーザも製造しております。これらのレーザは、自動車、太陽電池、ディスプレイ、半導体チップなど、厳格な規格に準拠する製品の精密製造に使用されます。 また、Lumentum は、モバイル機器だけでなく、自動運転、インキャビンドライバーモニタリング、高度なイメージング、その他の次世代アプリケーションで使用される大容量 3D センシングアプリケーション用の最新半導体レーザを提供してきた業界のパイオニアとして今後も社会に貢献していきます。 |
| 沿革 | 世界初の海底光ファイバ通信用レーザを1985年に実用化して以来、日本ルメンタムは常に最先端の光デバイスで豊かな情報通信社会の発展に貢献してきました。業界トップの性能へ挑戦し続ける革新的なアイデアと豊富な経験によって、市場で高いシェアを獲得するだけでなく、多くのお客様との協創的なコラボレーションによって業界をリードしています。 ■ 2020年 3月：800GE(ギガビットイーサ)向け半導体レーザを発表 ■ 2019 年 9月：世界最速の高温動作半導体レーザを発表 6月：社名を日本オクラロ株式会社から日本ルメンタム株式会社へ改称 ■ 2018 年 12月：Lumentumのグループ会社となる 9月：400GE向け変調器集積レーザを発表 ■ 2016 年 3月：現在トップシェアとなっている光通信用レーザを販売開始、100GEの普及に貢献 ■ 2013 年 横浜市から現在の相模原市へ事業所移転 ■ 2012 年 Oclaro Inc.と合併し日本オクラロ株式会社へ改称 ■ 2007 年 世界初の温度制御を必要としない変調器集積レーザを発売 ■ 2000 年 Opnext, Inc.を設立し株式会社日立製作所から独立 ■ 1998 年 革新的な10Gb/s変調器集積レーザの量産を開始 ■ 1990 年 世界初の1.55μm半導体多重量子井戸レーザの量産化 ■ 1982 年 世界初の大西洋横断海底光ファイバ通信で使用する半導体レーザを開発 ■ 1975 年 世界初の分布帰還型(DFB)型レーザの電流注入発振に成功 ■ 1974 年 世界初の埋込(BH)型レーザの室温連続発振に成功 |