【研究開発センター】先端パワー半導体デバイスの研究開発業務

募集背景

東芝グループは、「人と、地球の、明日のために。」を経営理念の主文に掲げ、事業を通じて社会の発展に貢献していくことを信念としています。脈々と受け継がれるベンチャースピリットを胸に、創業から約150年の歴史の中で培ってきた発想力と技術力、多様な人材の能力を結集し、複雑化・深刻化する社会課題解決に立ち向かっています。

東芝では、カーボンニュートラル実現のキー技術であるパワー半導体デバイスに関する事業を強化しており、技術の基盤となる研究開発強化に向けて、高度な専門性を有する技術者を募集します。

仕事内容

研究開発センターにおいて、化合物半導体や次世代シリコンの先端パワー半導体デバイスの設計、プロセス開発、評価・解析等の業務を遂行します。

求めるスキル・経験

【必須】

・半導体デバイスに関する研究開発業務の経験（デバイス設計(TCAD解析)、半導体プロセス、デバイス評価・解析のいずれか）を有する方。（学生時代含めて5年以上が望ましい）

【尚可】

・学術論文、特許などの技術専門文書を読み書きできる英語力をお持ちの方。（TOEIC 600点以上が望ましい）

やりがい・魅力

先端パワー半導体デバイス(化合物半導体(GaN)または次世代Siデバイス)の研究開発業務において、自らのアイディアをベースに最先端技術を創出していくことができ、技術者として非常にやりがいのある業務です。本業務を遂行するための最先端の半導体プロセス開発、デバイス試作が行えるクリーンルームや実験設備、各種評価、計算解析等の実験環境が整備されています。

※研究開発センターとデジタルイノベーションテクノロジーセンターが所在する小向事業所内に研究開発新棟（仮称）を新しく建設し、2024年度目途に両センターは新棟で執務する予定です。

研究開発新棟での業務開始に際してアクティビティ・ベースド・ワーキング（ABW）を導入し、専門分野の異なる研究者・技術者同士が偶然に隣り合わせたり、すれ違ったりすることで会話が生まれ、未来を語り合ったり、お客様の課題の解決方法を一緒に見つけたりなど、21世紀の研究所にふさわしいオープンな環境を実現します。

研究開発新棟 | 研究開発センター | 東芝 (global.toshiba)

関連リンク

・電源の高効率化に貢献する最新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について（2022年3月）

・低オン抵抗で低消費電力化に貢献する、車載機器向け小型MOSFETに40 V耐圧をラインアップ追加（2022年3月）

・NEDO「グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築」 プロジェクトに採択～次世代高電力密度産業用電源向けGaNパワーデバイスの開発について～（2022年3月）

・東芝技術広告「有村架純の未来ラボ」、「パワー半導体」編・「量子暗号通信」編の展開について（2022年4月）

・東芝が2023年のGaNデバイス発売に向け、差異化回路技術を開発（2022年4月）

・IEEE ISPSD 2022 | Vancouver, Canada

・参考論文；“Suppression of current collapse by Access-region Carrier Enhancement technique in GaN-MOSFETs”,  Y. Kajiwara, et al., Proc. of ISPSD2022, pp.317-320, May 22-25, Vancouver, Canada, 2022

・参考論文；“Improvement of the trade-off between Qrr and IDSS in trench field plate power MOSFETs by proton irradiation of the cathode side”, Y. Kobayashi, et al., Proc. of ISPSD2022, pp.285-288, May 22-25, Vancouver, Canada, 2022