【総合研究所】（株）東芝 半導体・ストレージ分野の先端デバイス研究開発に関する業務

募集背景

　成長戦略の中核を担う半導体技術の開発強化、革新技術開発を加速させるため、最先端の研究開発に携わり、未来の産業基盤を支える技術創出に貢献いただける方を募集。

仕事内容

◇先端デバイス技術開発（以下のいずれかの業務を担当）

1. パワー半導体/高機能MEMSデバイス/高周波デバイス技術の開発 （素子設計、回路制御、モジュール実装、特性評価/シミュレーション解析、RF特性解析）

2. 先端半導体プロセス・材料物性技術の開発 （半導体・材料プロセス、化合物半導体(GaN)結晶成長、材料物性評価/シミュレーション解析）

3. 次世代HDD技術の開発 （ヘッド設計、媒体設計、特性評価/シミュレーション解析、制御設計、振動構造解析、熱流体解析、電磁気解析）

求めるスキル・経験

1. パワー半導体／高機能MEMSデバイス/高周波デバイス技術の開発
必要なスキル・経験：
素子設計・回路制御：素子構造設計、アナログ／デジタル回路設計、制御アルゴリズムの知識
モジュール実装：パッケージング技術、熱設計、信頼性評価、RF特性評価
特性評価／シミュレーション解析：電気特性測定、デバイス・プロセスシミュレーション、SPICE等による回路シミュレーション、MEMS構造解析

2. 先端半導体プロセス・材料物性技術の開発
必要なスキル・経験：
半導体・材料プロセス：成膜、エッチング、リソグラフィなどのプロセス技術
化合物半導体（GaN等）結晶成長：MOCVDやHVPEなどの成長技術、結晶欠陥制御
材料物性評価／シミュレーション解析：XRD、SEM、TEMなどの評価技術、材料モデリング・解析

3. 次世代HDD技術の開発
必要なスキル・経験：
ヘッド設計・媒体設計・特性評価：ヘッド・媒体シミュレーション設計、特性評価・解析
メカ・サーボ技術：制御理論、構造／熱流体／電磁気の解析（FEM）

求める語学力（英語）

・日常会話レベル

募集部門からのＰＲ（やりがい・魅力）

　半導体・ストレージ技術は、社会のあらゆる分野の進化を支える基盤技術であり、特にパワー半導体、次世代ストレージ技術（HDDなど）、MEMSデバイス（ジャイロ・加速度センサなど）、高周波デバイス(衛星通信、レーダー、防衛など)、先端プロセス技術は、エネルギー効率、情報処理能力、信頼性の向上に直結する重要技術領域です。この分野の研究開発では、素子設計から回路制御、モジュール実装、材料物性評価、シミュレーション解析に至るまで、幅広い技術領域を横断的に扱います。GaNやSiCなどの化合物半導体を用いた次世代パワーデバイス、高周波デバイスの開発は、カーボンニュートラルの実現、AI・データセンター・電動化社会・次世代通信・防衛における新たな市場ニーズに応える挑戦的なテーマです 。当社技術は、国内外の学会や産業界からも高く評価されており、研究成果が社会実装に直結するやりがいがあります。

研究開発新棟 | 研究開発センター | 東芝 (global.toshiba)

関連リンク

・電源の高効率化に貢献する最新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について（2022年3月）

・低オン抵抗で低消費電力化に貢献する、車載機器向け小型MOSFETに40 V耐圧をラインアップ追加（2022年3月）

・NEDO「グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築」 プロジェクトに採択～次世代高電力密度産業用電源向けGaNパワーデバイスの開発について～（2022年3月）

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・IEEE ISPSD 2022 | Vancouver, Canada

・参考論文；“Suppression of current collapse by Access-region Carrier Enhancement technique in GaN-MOSFETs”,  Y. Kajiwara, et al., Proc. of ISPSD2022, pp.317-320, May 22-25, Vancouver, Canada, 2022

・参考論文；“Improvement of the trade-off between Qrr and IDSS in trench field plate power MOSFETs by proton irradiation of the cathode side”, Y. Kobayashi, et al., Proc. of ISPSD2022, pp.285-288, May 22-25, Vancouver, Canada, 2022